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IXSD25N100-5T

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel, DIE-5
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小171KB,共1页
制造商IXYS
标准  
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IXSD25N100-5T概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel, DIE-5

IXSD25N100-5T规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
零件包装代码DIE
包装说明DIE-5
针数5
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
集电极-发射极最大电压1000 V
配置SINGLE
JESD-30 代码R-XUUC-N5
元件数量1
端子数量5
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
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