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IXFD150N085-9X

产品描述Power Field-Effect Transistor, 85V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-9
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小129KB,共1页
制造商Littelfuse
官网地址http://www.littelfuse.com
标准
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IXFD150N085-9X概述

Power Field-Effect Transistor, 85V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-9

IXFD150N085-9X规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Littelfuse
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N9
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压85 V
最大漏源导通电阻0.007 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XUUC-N9
元件数量1
端子数量9
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

IXFD150N085-9X相似产品对比

IXFD150N085-9X
描述 Power Field-Effect Transistor, 85V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-9
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Littelfuse
包装说明 UNCASED CHIP, R-XUUC-N9
Reach Compliance Code compliant
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 85 V
最大漏源导通电阻 0.007 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-XUUC-N9
元件数量 1
端子数量 9
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 NO LEAD
端子位置 UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON
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