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W986416CH-6

产品描述Synchronous DRAM, 4MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
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文件大小2MB,共42页
制造商Winbond(华邦电子)
官网地址http://www.winbond.com.tw
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W986416CH-6概述

Synchronous DRAM, 4MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

W986416CH-6规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Winbond(华邦电子)
零件包装代码TSOP2
包装说明0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
针数54
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5 ns
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G54
JESD-609代码e0
长度22.22 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP54,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.155 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

W986416CH-6相似产品对比

W986416CH-6 W986416CH-8H W986416CH-7
描述 Synchronous DRAM, 4MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Winbond(华邦电子) Winbond(华邦电子) Winbond(华邦电子)
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2
包装说明 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 TSOP2, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP54,.46,32
针数 54 54 54
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 5 ns 6 ns 5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK) 166 MHz 125 MHz 143 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54
JESD-609代码 e0 e0 e0
长度 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm
内存密度 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 16 16 16
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 54 54 54
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX16 4MX16 4MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2
封装等效代码 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.155 mA 0.11 mA 0.115 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
这段数码管刷新代码什么意思?
代码如下:/*刷新显示缓冲区函数*/ //请大虾指教一下,究竟代码什么个意思? void RefreshBuf(void) { if(bTime1S)//定时中断1S标志位。 { bTime1S=0;//重新赋0 if(++DisBuf[7]==10)//从这里开始,不懂了。 { DisBuf[7]=0; if(++DisBuf[6]==6) { DisBuf[6]=0; if(++DisBuf[...
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