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DCR1020SF60: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 515000mA I(T), 6000V V(DRM),; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小406KB，共8页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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DCR1020SF60概述

Silicon Controlled Rectifier, 515000mA I(T), 6000V V(DRM),

DCR1020SF60相似产品对比

	DCR1020SF60	DCR1020SF61	DCR1020SF62	DCR1020SF63	DCR1020SF64	DCR1020SF65
描述	Silicon Controlled Rectifier, 515000mA I(T), 6000V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 515000mA I(T), 6100V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 515000mA I(T), 6200V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 515000mA I(T), 6300V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 515000mA I(T), 6400V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 515000mA I(T), 6500V V(DRM),
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
标称电路换相断开时间	600 µs	600 µs	600 µs	600 µs	600 µs	600 µs
关态电压最小值的临界上升速率	1000 V/us	1000 V/us	1000 V/us	1000 V/us	1000 V/us	1000 V/us
最大直流栅极触发电流	300 mA	300 mA	300 mA	300 mA	300 mA	300 mA
最大直流栅极触发电压	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
最大维持电流	200 mA	200 mA	200 mA	200 mA	200 mA	200 mA
通态非重复峰值电流	8500 A	8500 A	8500 A	8500 A	8500 A	8500 A
最大通态电流	515000 A	515000 A	515000 A	515000 A	515000 A	515000 A
最高工作温度	135 °C	135 °C	135 °C	135 °C	135 °C	135 °C
断态重复峰值电压	6000 V	6100 V	6200 V	6300 V	6400 V	6500 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
触发设备类型	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR

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