TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-363VAR
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 配置 | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.3 W |
| 表面贴装 | YES |
| UPA652TT-E2-AT | UPA652TT-E1 | UPA652TT-E2 | UPA652TT-A | UPA652TT-E2-A | UPA652TT-AT | UPA652TT-E1-AT | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-363VAR | UPA652TT-E1 | UPA652TT-E2 | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-363VAR | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-363VAR | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-363VAR | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-363VAR |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
| Reach Compliance Code | compliant | unknown | unknown | compliant | compliant | compliant | compliant |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | - | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 配置 | Single | - | - | Single | Single | Single | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2 A | - | - | 2 A | 2 A | 2 A | 2 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | - | - | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | - | - | P-CHANNEL | P-CHANNEL | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.3 W | - | - | 1.3 W | 1.3 W | 1.3 W | 1.3 W |
| 表面贴装 | YES | - | - | YES | YES | YES | YES |
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