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MC-4564EC726XFB-A10

产品描述Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168
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制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
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MC-4564EC726XFB-A10概述

Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168

MC-4564EC726XFB-A10规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ELPIDA
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度4831838208 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新YES
最大待机电流0.116 A
最大压摆率4.98 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

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DATA SHEET
MOS INTEGRATED CIRCUIT
MC-4564EC726
64 M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE
REGISTERED TYPE
Description
The MC-4564EC726 is a 67,108,864 words by 72 bits synchronous dynamic RAM module on which 36 pieces of
128 M SDRAM:
µ
PD45128441 are assembled.
These modules provide high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-
mounting technology on the printed circuit board.
Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.
Features
67,108,864 words by 72 bits organization (ECC type)
Clock frequency and access time from CLK
Part number
/CAS latency
Clock frequency
(MAX.)
MC-4564EC726EFB-A80
CL = 3
CL = 2
MC-4564EC726EFB-A10
CL = 3
CL = 2
MC-4564EC726PFB-A80
CL = 3
CL = 2
MC-4564EC726PFB-A10
CL = 3
CL = 2
MC-4564EC726XFB-A80
CL = 3
CL = 2
MC-4564EC726XFB-A10
CL = 3
CL = 2
125 MHz
100 MHz
100 MHz
77 MHz
125 MHz
100 MHz
100 MHz
77 MHz
125 MHz
100 MHz
100 MHz
77 MHz
Access time from CLK
(MAX.)
6 ns
6 ns
6 ns
7 ns
6 ns
6 ns
6 ns
7 ns
6 ns
6 ns
6 ns
7 ns
PC100 Registered DIMM
Rev. 1.2 Compliant
Module type
Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge
Pulsed interface
Possible to assert random column address in every cycle
Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)
Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and Full Page)
Programmable wrap sequence (Sequential / Interleave)
Programmable /CAS latency (2, 3)
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local Elpida Memory, Inc. for
availability and additional information.
Document No. E0070N10 (1st edition)
(Previous No. M14460EJ3V0DS00)
Date Published January 2001 CP (K)
Printed in Japan
Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

MC-4564EC726XFB-A10相似产品对比

MC-4564EC726XFB-A10 MC-4564EC726PFB-A80 MC-4564EC726XFB-A80 MC-4564EC726EFB-A10 MC-4564EC726PFB-A10 MC-4564EC726EFB-A80
描述 Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 168 168 168 168 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 125 MHz 125 MHz 100 MHz 100 MHz 125 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 4831838208 bit 4831838208 bit 4831838208 bit 4831838208 bit 4831838208 bit 4831838208 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 72 72 72 72 72 72
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 168 168 168 168 168 168
字数 67108864 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words
字数代码 64000000 64000000 64000000 64000000 64000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64MX72 64MX72 64MX72 64MX72 64MX72 64MX72
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168 DIMM168 DIMM168 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096 4096
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大待机电流 0.116 A 0.116 A 0.116 A 0.116 A 0.116 A 0.116 A
最大压摆率 4.98 mA 4.98 mA 4.98 mA 4.98 mA 4.98 mA 4.98 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
厂商名称 ELPIDA - - ELPIDA ELPIDA ELPIDA
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