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G5365P-4

产品描述MASK ROM, 8KX8, 450ns, CMOS, PDIP28
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文件大小92KB,共3页
制造商GTE Microcircuits
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G5365P-4概述

MASK ROM, 8KX8, 450ns, CMOS, PDIP28

G5365P-4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称GTE Microcircuits
包装说明DIP, DIP28,.3
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间450 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度65536 bit
内存集成电路类型MASK ROM
内存宽度8
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0002 A
最大压摆率0.02 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

G5365P-4相似产品对比

G5365P-4 G5364P-3 G5364P-4
描述 MASK ROM, 8KX8, 450ns, CMOS, PDIP28 MASK ROM, 8KX8, 300ns, CMOS, PDIP24 MASK ROM, 8KX8, 450ns, CMOS, PDIP24
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 GTE Microcircuits GTE Microcircuits GTE Microcircuits
包装说明 DIP, DIP28,.3 DIP, DIP24(UNSPEC) DIP, DIP24(UNSPEC)
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最长访问时间 450 ns 300 ns 450 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-PDIP-T24 R-PDIP-T24
JESD-609代码 e0 e0 e0
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 MASK ROM MASK ROM MASK ROM
内存宽度 8 8 8
端子数量 28 24 24
字数 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8KX8 8KX8 8KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP28,.3 DIP24(UNSPEC) DIP24(UNSPEC)
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A
最大压摆率 0.02 mA 0.02 mA 0.02 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL
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