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MT29F8G08FACWP:C

产品描述Flash, 1GX8, 18ns, PDSO48, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共58页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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MT29F8G08FACWP:C概述

Flash, 1GX8, 18ns, PDSO48, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48

MT29F8G08FACWP:C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码TSOP1
包装说明LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间18 ns
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e3
长度18.4 mm
内存密度8589934592 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模8K
端子数量48
字数1073741824 words
字数代码1000000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1GX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小2K words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模128K
最大待机电流0.0002 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
切换位NO
类型SLC NAND TYPE
宽度12 mm

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2Gb, 4Gb, 8Gb: x8, x16 NAND Flash Memory
Features
NAND Flash Memory
MT29F2G08AACWP, MT29F4G08BACWP, MT29F8G08FACWP
For the latest data sheet, refer to the Micron Web site:
www.micron.com/products/nand/
Features
• Organization
Page size x8: 2,112 bytes (2,048 + 64 bytes)
Page size x16: 1,056 words (1,024 + 32 words)
Block size: 64 pages (128K + 4K bytes)
Device size: 2Gb: 2,048 blocks; 4Gb: 4,096 blocks;
8Gb: 8,192 blocks
• READ performance
Random READ: 25µs
Sequential READ: 30ns (3V x8 only)
• WRITE performance
PROGRAM PAGE: 300µs (TYP)
BLOCK ERASE: 2ms (TYP)
• Endurance: 100,000 PROGRAM/ERASE cycles
• First block (block address 00h) guaranteed to be
valid without ECC (up to 1,000 PROGRAM/ERASE
cycles)
• V
CC
: 1.70V–1.95V
1
or 2.7V–3.6V
• Automated PROGRAM and ERASE
• Basic NAND Flash command set:
PAGE READ, READ for INTERNAL DATA MOVE,
RANDOM DATA READ, READ ID, READ STATUS,
PROGRAM PAGE, RANDOM DATA INPUT, PRO-
GRAM PAGE CACHE MODE, PROGRAM for
INTERNAL DATA MOVE, BLOCK ERASE, RESET
• New commands:
PAGE READ CACHE MODE
One-time programmable (OTP), including:
OTP DATA PROGRAM, OTP DATA PROTECT,
OTP DATA READ
READ UNIQUE ID (contact factory)
READ ID2 (contact factory)
• Operation status byte provides a software method of
detecting:
PROGRAM/ERASE operation completion
PROGRAM/ERASE pass/fail condition
Write-protect status
• READY/BUSY (R/B#) pin provides a hardware
method of detecting PROGRAM or ERASE cycle
completion
• WP# pin: hardware write protect
Figure 1:
48-Pin TSOP Type 1
Options
Marking
• Density:
2Gb (single die)
MT29F2G
4Gb (dual-die stack)
MT29F4G
8Gb (quad-die stack)
MT29F8G
• Device width:
x8
MT29Fxx08x
1
x16
MT29Fxx16x
• Configuration:
# of die # of CE# # of R/B#
1
1
1
A
2
1
1
B
4
2
2
F
• V
CC
:
2.7V–3.6V
A
1
1.70V–1.95V
B
• Third-generation die
C
• Package:
48-Pin TSOP type I (lead-free)
WP
• Operating temperature:
Commercial (0°C to 70°C)
None
2
Extended (–40°C to +85°C)
ET
Notes: 1. Packaged parts are only available for 3V x8
devices. For 1.8V or x16 devices, contact
factory.
2. For ET devices, contact factory.
PDF: 09005aef814b01a2 / Source: 09005aef814b01c7
2_4_8gb_nand_m49a__1.fm - Rev. D 12/06 EN
1
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
©2005 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
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