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2SC1959O

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小77KB,共1页
制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
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2SC1959O概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

2SC1959O规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
VCEsat-Max0.25 V
Base Number Matches1
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