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HB56A132BW-7CL

产品描述Fast Page DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, SIP-72
产品类别存储    存储   
文件大小9KB,共2页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB56A132BW-7CL概述

Fast Page DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, SIP-72

HB56A132BW-7CL规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码MODULE
包装说明SIMM, SSIM72
针数72
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-N72
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量72
字数1048576 words
字数代码1000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码SIMM
封装等效代码SSIM72
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度25.4 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.0008 A
最大压摆率0.8 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置SINGLE
在Quartus II中分配管脚的两种常用方法(转)
[b]转自[url]http://www.cnblogs.com/yuphone/archive/2010/01/18/1650612.html[/url][/b][b][/b][b]示范程序[/b]seg7_test.v[table][tr][td]12345678910111213141516171819202122[/td][td]/** seg7 x 8 查找表测试文件*/module s...
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