电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

HB56G18B-8A

产品描述Fast Page DRAM Module, 1MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30
产品类别存储    存储   
文件大小277KB,共11页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

HB56G18B-8A概述

Fast Page DRAM Module, 1MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30

HB56G18B-8A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码SIMM
包装说明, SIP30,.2
针数30
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-N30
JESD-609代码e0
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量30
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装等效代码SIP30,.2
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度12.7 mm
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距2.54 mm
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

HB56G18B-8A相似产品对比

HB56G18B-8A HB56G18GB-8A HB56G18GB-10A HB56G18B-7A HB56G18GB-7A HB56G18B-10A
描述 Fast Page DRAM Module, 1MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 1MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, SIMM-30
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM
包装说明 , SIP30,.2 , SIP30,.2 , SIP30,.2 , SIP30,.2 , SIP30,.2 , SIP30,.2
针数 30 30 30 30 30 30
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 80 ns 80 ns 100 ns 70 ns 70 ns 100 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 30 30 30 30 30 30
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装等效代码 SIP30,.2 SIP30,.2 SIP30,.2 SIP30,.2 SIP30,.2 SIP30,.2
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 1024 1024 1024
座面最大高度 12.7 mm 12.7 mm 12.7 mm 12.7 mm 12.7 mm 12.7 mm
最大待机电流 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A
最大压摆率 0.18 mA 0.18 mA 0.16 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.16 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) - Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
51单片机头文件添加
51单片机头文件添加 ...
QWE4562009 51单片机
如果RTOS,LPC1768片上的RAM2如何使用
最近用LPC1768做项目,使用RT-THREAD操作系统,由于RAM1内存紧张想扩展RAM2,按照网上大神说法,在KEIL编译器上勾选RAM2内存,但是发现编译虽然通过,但是代码执行不了,通过系统串口打印,显示 ......
TC欧克 NXP MCU
【MSP430共享】MSP430子程序(液晶控制器子程序)
//MSP430子程序(液晶控制器子程序) //作者:aileen 发表时间:2004-12-2 11:20:08 //声明:转载请保留以上信息,用于商业用途,请联系作者//----------------------------------------------- ......
GONGHCU 微控制器 MCU
【Labview】Labview 的特点
Labview的主要特点,在于它的编程方式的不同,下面让我们一起来初步了解一下: 数据流编程 LabVIEW编程语言,也被称为G语言,是一种数据流编程语言。程序员通过绘制导线连接不同功能 ......
安_然 测试/测量
下载有礼:USB Type C相关开发测试资料,没事儿读读,一不小心成长成大神
即日起至4月13日,下载下方任意USB主题相关开发测试资料,即有机会获得50元京东卡一张(共35份)。还有机会获得泰克专家解答问题的机会。 https://www.eeworld.com.cn/huodong/TEK_USB31_201 ......
EEWORLD社区 测试/测量
51单片机驱动12v继电器的电路 请高手帮我看看有没问题的
继电器是12v的,51上电后IO口全高,直接连uln2003会使得继电器瞬间闭合,中间加了个74LS04,负载电路电压50v,电路5A的样子, 这个电路需要7*24小时长期开着的,请高手帮我看看有什么 ......
abusama 51单片机

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1367  2833  1798  2761  2124  37  48  8  46  44 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved