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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> AM27C010-200JC
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AM27C010-200JC

产品描述OTP ROM, 128KX8, 200ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
产品类别存储    存储   
文件大小99KB，共12页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

AM27C010-200JC概述

OTP ROM, 128KX8, 200ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

AM27C010-200JC规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称AMD(超微)
零件包装代码QFJ
包装说明QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间200 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e0
长度13.97 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC32,.5X.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.55 mm
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度11.43 mm

AM27C010-200JC相似产品对比

AM27C010-200JC AM27C010-120JC AM27C010-120DEB AM27C010-120DE AM27C010-120PI
描述 OTP ROM, 128KX8, 200ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 OTP ROM, 128KX8, 120ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 UVPROM, 128KX8, 120ns, CMOS, CDIP32, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32 UVPROM, 128KX8, 120ns, CMOS, CDIP32, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32 OTP ROM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDIP32, PLASTIC, DIP-32
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 QFJ QFJ DIP DIP DIP
包装说明 QCCJ, LDCC32,.5X.6 QCCJ, LDCC32,.5X.6 WDIP, DIP32,.6 WDIP, DIP32,.6 DIP, DIP32,.6
针数 32 32 32 32 32
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 200 ns 120 ns 120 ns 120 ns 120 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PQCC-J32 R-PQCC-J32 R-CDIP-T32 R-CDIP-T32 R-PDIP-T32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
长度 13.97 mm 13.97 mm 42.1005 mm 42.1005 mm 42.037 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 OTP ROM OTP ROM UVPROM UVPROM OTP ROM
内存宽度 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 125 °C 125 °C 85 °C
最低工作温度 - - -55 °C -55 °C -40 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCJ QCCJ WDIP WDIP DIP
封装等效代码 LDCC32,.5X.6 LDCC32,.5X.6 DIP32,.6 DIP32,.6 DIP32,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE, WINDOW IN-LINE, WINDOW IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.55 mm 3.55 mm 5.588 mm 5.588 mm 5.715 mm
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A
最大压摆率 0.03 mA 0.03 mA 0.06 mA 0.06 mA 0.03 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY MILITARY INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD QUAD DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 11.43 mm 11.43 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm
Base Number Matches - 1 1 1 -

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