EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDIP8,
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
Reach Compliance Code | unknown |
数据保留时间-最小值 | 10 |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 1024 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 16 |
湿度敏感等级 | 3 |
端子数量 | 8 |
字数 | 64 words |
字数代码 | 64 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 64X16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
串行总线类型 | MICROWIRE |
最大待机电流 | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.003 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
写保护 | SOFTWARE |
KM93C46P | KM93C46PI | |
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描述 | EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDIP8, | EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDIP8, |
是否无铅 | 含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 | DIP, DIP8,.3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
数据保留时间-最小值 | 10 | 10 |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
内存密度 | 1024 bit | 1024 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 16 | 16 |
端子数量 | 8 | 8 |
字数 | 64 words | 64 words |
字数代码 | 64 | 64 |
最高工作温度 | 70 °C | 85 °C |
组织 | 64X16 | 64X16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
并行/串行 | SERIAL | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
串行总线类型 | MICROWIRE | MICROWIRE |
最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.003 mA | 0.003 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | NOT SPECIFIED |
写保护 | SOFTWARE | SOFTWARE |
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