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2SD2095

产品描述TRANSISTOR 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小41KB,共1页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SD2095概述

TRANSISTOR 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

2SD2095规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)8
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)3 MHz
Base Number Matches1
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