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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> FHT1015Y
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FHT1015Y

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小127KB，共1页
制造商Fenghua (HK) Electronics Ltd
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FHT1015Y概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

FHT1015Y规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fenghua (HK) Electronics Ltd
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.15 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz

FHT1015Y文档预览

General Purpose Transistors
General Purpose Transistors
DESCRIPTION & FEATURES
概述及特點
Excellent h
FE
Linearity h
FE
線性特性極½
h
FE
(0.1mA)/ h
FE
(2mA)=0.90(Typ.)
Low Noise½雜訊：NF=1dB (Typ.),10dB(Max.)
Complementary to FHT1815
與
FHT1815
互補
SOT-23
FHT1015
PIN ASSIGNMENT
引腳說明
PIN NAME
FUNCTION
PIN NUMBER
引腳序號
管腳符號
功½
SOT-23
B
1
BASE
E
2
EMITTER
C
3
COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS(T
a
=25℃)
最大額定值
CHARACTERISTIC
特性參數
Symbol
符號
Rating
額定值
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
-50
V
CEO
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
V
CBO
-50
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
-5.0
V
EBO
Collector Current-Continuous
集電極電流-連續
-150
I
C
Base Current
基極電流
-30
I
B
THERMAL CHARACTERISTICS
熱特性
CHARACTERISTIC
特性參數
Symbol
符號
Max
最大值
Collector Power Dissipation
集電極耗散功率
P
c
300
Junction and Storage Temperature結溫和儲存溫度
T
j
,
T
stg
150，
-55 ~150
Unit
單½
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
mAdc
Unit
單½
mW
℃
DEVICE MARKING
打標
，FHT1015Y=TY（120~240）
，FHT1015G=TG（200~400）
h
FE
（1）FHT1015O=TO（70~140）
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(T
A
=25℃ unless otherwise noted
如無特殊說明，溫度為
25℃)
Symbol
Test Condition
Min
Type
Max
Characteristic
特性參數
符號
測試條件
最小值 典型值 最大值
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集電極-發射極擊穿電壓
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極-基極擊穿電壓
DC Current Gain
直流電流增益
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極½和壓降
Base-Emitter Voltage
基極-發射極電壓
Transition Frequency
特徵頻率
Collector Output Capacitance
輸出電容
Unit
單½
µA
µA
V
V
V
—
V
V
MHz
pF
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
h
FE
V
CE(sat)
V
CB
=-50V,I
E
=0
V
EB
=-5V,I
C
=0
I
C
=-1.0mA
I
C
=-100µA
I
E
=-100µA
V
CE
=-6V,I
C
=-2mA
I
C
=-100mA,I
B
=-10mA
V
CE
=-5.0V,I
C
=-10mA
V
CE
=-5.0V,I
C
=-10mA
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
—
—
-50
-50
-5
70
—
—
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
200
4.0
-0.1
-0.1
—
—
—
400
-0.3
-0.82
—
7.0
V
BE
f
T
C
ob
1
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FHT1015Y相似产品对比

FHT1015Y FHT1015 FHT1015G FHT1015O
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
厂商名称 Fenghua (HK) Electronics Ltd Fenghua (HK) Electronics Ltd Fenghua (HK) Electronics Ltd Fenghua (HK) Electronics Ltd
零件包装代码 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.15 A 0.15 A 0.15 A 0.15 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 120 70 200 70
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W - 0.3 W 0.3 W

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