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2N5639

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小91KB,共1页
制造商Central Semiconductor
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2N5639概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92

2N5639规格参数

参数名称属性值
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏源导通电阻60 Ω
FET 技术JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)4 pF
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.31 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2N5639相似产品对比

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描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92 Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92 Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92
Reach Compliance Code compli _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V 30 V
最大漏源导通电阻 60 Ω 100 Ω 30 Ω
FET 技术 JUNCTION JUNCTION JUNCTION
最大反馈电容 (Crss) 4 pF 4 pF 4 pF
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.31 W 0.31 W 0.31 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 -
是否无铅 - 含铅 含铅
是否Rohs认证 - 不符合 不符合
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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