IRFE230-JQR-B,IRFE230-JQR-B pdf中文资料,IRFE230-JQR-B引脚图,IRFE230-JQR-B电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRFE230-JQR-B

IRFE230-JQR-B: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小76KB，共2页; 制造商TT Electronics plc; 官网地址http://www.ttelectronics.com/

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IRFE230-JQR-B概述

Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

IRFE230-JQR-B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	TT Electronics plc
包装说明	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	AVALANCHE ENERGY RATING
雪崩能效等级（Eas）	54 mJ
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (ID)	4.8 A
最大漏源导通电阻	0.46 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CQCC-N15
元件数量	1
端子数量	15
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	19 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

IRFE230-JQR-B相似产品对比

	IRFE230-JQR-B	IRFE230E4	IRFE230-JQR-BE4
描述	Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
是否Rohs认证	不符合	符合	符合
厂商名称	TT Electronics plc	TT Electronics plc	TT Electronics plc
包装说明	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	AVALANCHE ENERGY RATING	AVALANCHE ENERGY RATING	AVALANCHE ENERGY RATING
雪崩能效等级（Eas）	54 mJ	54 mJ	54 mJ
外壳连接	SOURCE	SOURCE	SOURCE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V	200 V	200 V
最大漏极电流 (ID)	4.8 A	4.8 A	4.8 A
最大漏源导通电阻	0.46 Ω	0.46 Ω	0.46 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CQCC-N15	R-CQCC-N15	R-CQCC-N15
元件数量	1	1	1
端子数量	15	15	15
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	19 A	19 A	19 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
JESD-609代码	-	e4	e4
端子面层	-	GOLD	GOLD

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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