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IXTE25N20X4

产品描述Power Field-Effect Transistor, 4-Element, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小200KB,共2页
制造商IXYS
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IXTE25N20X4概述

Power Field-Effect Transistor, 4-Element, Metal-oxide Semiconductor FET

IXTE25N20X4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IXYS
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大漏极电流 (Abs) (ID)25 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
元件数量4
最高工作温度150 °C
最大功率耗散 (Abs)125 W
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

IXTE25N20X4相似产品对比

IXTE25N20X4
描述 Power Field-Effect Transistor, 4-Element, Metal-oxide Semiconductor FET
是否Rohs认证 不符合
厂商名称 IXYS
Reach Compliance Code unknown
最大漏极电流 (Abs) (ID) 25 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0
元件数量 4
最高工作温度 150 °C
最大功率耗散 (Abs) 125 W
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)

 
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