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IXLZ12N90

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小681KB,共8页
制造商IXYS
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IXLZ12N90概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

IXLZ12N90规格参数

参数名称属性值
厂商名称IXYS
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)12 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装NO
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