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IXGQ150N60Y3

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小308KB,共3页
制造商IXYS
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IXGQ150N60Y3概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES

IXGQ150N60Y3规格参数

参数名称属性值
厂商名称IXYS
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)150 A
集电极-发射极最大电压600 V
门极-发射极最大电压20 V
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大功率耗散 (Abs)600 W
VCEsat-Max4 V

IXGQ150N60Y3相似产品对比

IXGQ150N60Y3 IXGQ100N100Y3 IXGQ150N100Y3 IXGQ200N100Y3 IXGQ200N60Y3
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1000V V(BR)CES Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1000V V(BR)CES Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1000V V(BR)CES Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES
厂商名称 IXYS IXYS IXYS IXYS IXYS
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 150 A 100 A 150 A 200 A 200 A
集电极-发射极最大电压 600 V 1000 V 1000 V 1000 V 600 V
门极-发射极最大电压 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V
元件数量 1 1 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大功率耗散 (Abs) 600 W 400 W 600 W 800 W 800 W
VCEsat-Max 4 V 4 V 4 V 4 V 4 V
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