Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Littelfuse |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最大集电极电流 (IC) | 20 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 1000 V |
| 最大降落时间（tf） | 2000 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 5 V |
| 门极-发射极最大电压 | 30 V |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 100 W |
| 最大上升时间（tr） | 200 ns |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| IXGP10N100 | IXGP10N80 | IXGP10N90 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 800V V(BR)CES, N-Channel, | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Littelfuse | Littelfuse | Littelfuse |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 最大集电极电流 (IC) | 20 A | 20 A | 20 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 1000 V | 800 V | 900 V |
| 最大降落时间（tf） | 2000 ns | 2000 ns | 2000 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 门极-发射极最大电压 | 30 V | 30 V | 30 V |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 100 W | 100 W | 100 W |
| 最大上升时间（tr） | 200 ns | 200 ns | 200 ns |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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