Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | IXYS |
Reach Compliance Code | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 36 A |
集电极-发射极最大电压 | 1000 V |
最大降落时间(tf) | 1000 ns |
门极发射器阈值电压最大值 | 5 V |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-609代码 | e0 |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 150 W |
最大上升时间(tr) | 200 ns |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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