Standard SRAM, 8KX16, 55ns, PBGA144, 0.50 MM PITCH, GREEN, FBGA-144
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | BGA, |
| 针数 | 144 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 55 ns |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B144 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 内存密度 | 131072 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 144 |
| 字数 | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 8KX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | BALL |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| IDT70P525L55BZGI | IDT70V525L55BZGI | IDT70P5258L55BZGI | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 8KX16, 55ns, PBGA144, 0.50 MM PITCH, GREEN, FBGA-144 | Standard SRAM, 8KX16, 55ns, PBGA144, 0.50 MM PITCH, GREEN, FBGA-144 | Standard SRAM, 8KX16, 55ns, PBGA144, 0.50 MM PITCH, GREEN, FBGA-144 |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | BGA | BGA | BGA |
| 包装说明 | BGA, | BGA, | BGA, |
| 针数 | 144 | 144 | 144 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 55 ns | 55 ns | 55 ns |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B144 | S-PBGA-B144 | S-PBGA-B144 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
| 内存密度 | 131072 bit | 131072 bit | 131072 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 16 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 144 | 144 | 144 |
| 字数 | 8192 words | 8192 words | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 | 8000 | 8000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 8KX16 | 8KX16 | 8KX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA | BGA | BGA |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V | 3.3 V | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 2.7 V | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 3 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | MATTE TIN | MATTE TIN | MATTE TIN |
| 端子形式 | BALL | BALL | BALL |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 30 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) | - | IDT (Integrated Device Technology) |
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