Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AA, TO-263AA, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | IXYS |
零件包装代码 | D2PAK |
包装说明 | TO-263AA, 3 PIN |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 30 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | SINGLE |
JEDEC-95代码 | TO-263AA |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 565 ns |
标称接通时间 (ton) | 43 ns |
IXGA15N120B2 | IXGP15N120B2 | |
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描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AA, TO-263AA, 3 PIN | Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | IXYS | IXYS |
零件包装代码 | D2PAK | TO-220AB |
包装说明 | TO-263AA, 3 PIN | TO-220AB, 3 PIN |
针数 | 4 | 3 |
Reach Compliance Code | not_compliant | compliant |
外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 30 A | 30 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V | 1200 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
JEDEC-95代码 | TO-263AA | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | NO |
端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 565 ns | 565 ns |
标称接通时间 (ton) | 43 ns | 43 ns |
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