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IXGA15N120B2

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AA, TO-263AA, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小63KB,共2页
制造商IXYS
标准  
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IXGA15N120B2概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AA, TO-263AA, 3 PIN

IXGA15N120B2规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
零件包装代码D2PAK
包装说明TO-263AA, 3 PIN
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)30 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
JEDEC-95代码TO-263AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)565 ns
标称接通时间 (ton)43 ns

IXGA15N120B2相似产品对比

IXGA15N120B2 IXGP15N120B2
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AA, TO-263AA, 3 PIN Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 IXYS IXYS
零件包装代码 D2PAK TO-220AB
包装说明 TO-263AA, 3 PIN TO-220AB, 3 PIN
针数 4 3
Reach Compliance Code not_compliant compliant
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 30 A 30 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V
配置 SINGLE SINGLE
JEDEC-95代码 TO-263AA TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 2 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 565 ns 565 ns
标称接通时间 (ton) 43 ns 43 ns
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