Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, PNP, Germanium, TO-13, Metal, 3 Pin, TO-13, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
零件包装代码 | TO-13 |
包装说明 | TO-13, 3 PIN |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow |
最大集电极电流 (IC) | 3 A |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 24 |
JEDEC-95代码 | TO-13 |
JESD-30 代码 | O-MBPM-D3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 85 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | POST/STUD MOUNT |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 1.5 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | SOLDER LUG |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管元件材料 | GERMANIUM |
标称过渡频率 (fT) | 145 MHz |
Base Number Matches | 1 |
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