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2SK1930TE24L

产品描述TRANSISTOR 4 A, 1000 V, 3.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小841KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SK1930TE24L概述

TRANSISTOR 4 A, 1000 V, 3.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

2SK1930TE24L规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压1000 V
最大漏极电流 (ID)4 A
最大漏源导通电阻3.8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值100 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2SK1930TE24L相似产品对比

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描述 TRANSISTOR 4 A, 1000 V, 3.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power TRANSISTOR 4 A, 1000 V, 3.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-10S1B, 3 PIN, FET General Purpose Power TRANSISTOR 4 A, 1000 V, 3.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-10S2B, 3 PIN, FET General Purpose Power TRANSISTOR 4 A, 1000 V, 3.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power TRANSISTOR 4 A, 1000 V, 3.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10S2B, TO-220SM, 3 PIN, FET General Purpose Power TRANSISTOR 4 A, 1000 V, 3.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10S1B, TO-220FL, 3 PIN, FET General Purpose Power
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 1000 V 1000 V 1000 V 1000 V 1000 V 1000 V
最大漏极电流 (ID) 4 A 4 A 4 A 4 A 4 A 4 A
最大漏源导通电阻 3.8 Ω 3.8 Ω 3.8 Ω 3.8 Ω 3.8 Ω 3.8 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 3 2 2 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO YES YES YES NO
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
是否无铅 - 含铅 含铅 - 含铅 含铅
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 - 不符合 不符合
针数 - 3 3 - 3 3
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大脉冲漏极电流 (IDM) - 12 A 12 A - 12 A 12 A
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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