EDI88512LPA35TI,EDI88512LPA35TI pdf中文资料,EDI88512LPA35TI引脚图,EDI88512LPA35TI电路-Datasheet-电子工程世界

EDI88512LPA35TI: 产品描述Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共10页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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EDI88512LPA35TI概述

Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	DIP
包装说明	0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	35 ns
其他特性	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
JESD-30 代码	R-CDIP-T32
长度	40.64 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.937 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm

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