Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> S-LMUN5212DW1T3G

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S-LMUN5212DW1T3G: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小238KB，共10页; 制造商LRC; 官网地址http://www.lrc.cn; 标准

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S-LMUN5212DW1T3G概述

Small Signal Bipolar Transistor,

S-LMUN5212DW1T3G规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	LRC
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Dual Bias ResistorTransistors

NPN Silicon Surface Mount Transistors

with Monolithic Bias Resistor Network

The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias

network consisting of two resistors; a series base resistor and a base–emitter resistor. These

digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network.

The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In

the LMUN5211DW1T1 series, two BRT devices are housed in the SOT–363 package which

is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.

• Simplifies Circuit Design

• Reduces Board Space

• Reduces Component Count

LMUN5211DW1T1G

Series

S-LMUN5211DW1T1G

Series

SC-88/SOT-363

• We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.

•

S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and

Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.

MAXIMUM RATINGS

= 25°C unless otherwise noted, common for Q

and Q

)

Rating

Symbol Value

Unit

Collector-Base Voltage

CBO

Vdc

Collector-Emitter Voltage

CEO

Vdc

Collector Current

100

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

(One Junction Heated)

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation

187 (Note 1.)

256 (Note 2.)

= 25°C

1.5 (Note 1.)

mW/°C

Derate above 25°C

2.0 (Note 2.)

Thermal Resistance –

Junction-to-Ambient

Characteristic

(Both Junctions Heated)

Total Device Dissipation

= 25°C

Derate above 25°C

Thermal Resistance –

Junction-to-Ambient

Thermal Resistance –

Junction-to-Lead

Junction and Storage

Temperature

1. FR–4 @ Minimum Pad

θJA

670 (Note 1.)

490 (Note 2.)

°C/W

MARKING DIAGRAM

7X = Device Marking

(See Page 2)

Symbol

Max

250 (Note 1.)

385 (Note 2.)

2.0 (Note 1.)

3.0 (Note 2.)

493 (Note 1.)

325 (Note 2.)

188 (Note 1.)

208 (Note 2.)

–55 to +150

Unit

mW/°C

°C/W

°C

DEVICE MARKING

INFORMATION

See specific marking information in

the device marking table on page 2 of

this data sheet.

θJA

θJL

, T

stg

2. FR–4 @ 1.0 x 1.0 inch Pad

Rev.A 1/10

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