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JAN2N5241

产品描述Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小88KB,共2页
制造商API Technologies
官网地址http://www.apitech.com/about-api
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

JAN2N5241概述

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,

JAN2N5241规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值125 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4 MHz
VCEsat-Max0.7 V
Base Number Matches1

JAN2N5241相似产品对比

JAN2N5241 JANTX2N5241
描述 Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
Reach Compliance Code compli compli
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A
集电极-发射极最大电压 400 V 400 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 15 15
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
功耗环境最大值 125 W 125 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
参考标准 MIL MIL
表面贴装 NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 4 MHz 4 MHz
VCEsat-Max 0.7 V 0.7 V
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