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JANTX2N5238

产品描述Power Bipolar Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小119KB,共3页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
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JANTX2N5238概述

Power Bipolar Transistor,

JANTX2N5238规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
认证状态Not Qualified
Base Number Matches1

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NPN Power Silicon Transistor
2N4150, 2N5237 & 2N5238
Features
Available in JAN, JANTX, and JANTXV
per MIL-PRF-19500/384
TO-5 Package
Maximum Ratings
Ratings
Collector - Emitter Voltage
Collector - Base Voltage
Emitter - Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
@ TA = +25 °C (1)
@ TA = +25 °C (2)
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PT
Top, Tstg
R
θJC
R
θJA
2N4150
70
100
2N5237
120
150
10.0
4.0
10
175
-65 to +200
10.0
175.0
2N5238
170
200
Units
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
W
W
°C
°C/W
Operating & Storage Temperature Range
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Junction_to-Ambient
1) Derate linearly @ 5.7 mW/°C for TA > +25°C
2) Derate linearly @ 100 mW/°C for TC > +25°C
Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted)
OFF Characteristics
Collector - Emitter Breakdown Voltage
IC = 0.1 mAdc
2N4150
2N5237
2N5238
Collector - Emitter Cutoff Current
VBE = 0.5 Vdc, VCE = 60 Vdc
VBE = 0.5 Vdc, VCE = 110 Vdc
VBE = 0.5 Vdc, VCE = 160 Vdc
Collector - Emitter Cutoff Current
VCE = 60 Vdc
VCE = 110 Vdc
VCE = 160 Vdc
Emitter - Base Cutoff Current
VEB = 7.0 Vdc
VEB = 5.0 Vdc
Collector-Base Cutoff Current
VCB = 100 Vdc
VCB = 150 Vdc
VCB = 200 Vdc
VCB = 80 Vdc
2N4150
2N5237
2N5238
All Types
2N4150
2N5237
2N5238
2N4150
2N5237
2N5238
Symbol
V(BR)CEO
Mimimum
70
120
170
---
Maximum
---
Units
Vdc
ICEX
10
10
10
10
10
10
10
0.1
10
10
10
0.1
μAdc
ICEO
---
μAdc
IEBO
---
μAdc
ICBO
---
μAdc
Revision Date: 9/9/2011
New Product
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