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2N5317

产品描述Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, TO-61/I, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小663KB,共11页
制造商Solitron Devices Inc
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2N5317概述

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, TO-61/I, 3 PIN

2N5317规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-61
包装说明TO-61/I, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码O-MUPM-D3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值50 W
最大功率耗散 (Abs)50 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)30 MHz
VCEsat-Max0.6 V
Base Number Matches1
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