Page Mode DRAM, 16KX1, 120ns, MOS, PDIP16
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | FUJITSU(富士通) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 120 ns |
| I/O 类型 | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | PAGE MODE DRAM |
| 内存宽度 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 字数 | 16384 words |
| 字数代码 | 16000 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 16KX1 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 128 |
| 最大压摆率 | 0.029 mA |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
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