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MSM51V4100L-60SJ

产品描述Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20,
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文件大小735KB,共15页
制造商LAPIS Semiconductor Co Ltd
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MSM51V4100L-60SJ概述

Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20,

MSM51V4100L-60SJ规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明SOJ, SOJ20/26,.34
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间60 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDSO-J20
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度1
端子数量20
字数4194304 words
字数代码4000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ20/26,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
自我刷新NO
最大待机电流0.00015 A
最大压摆率0.07 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
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