M68AR256ML55ZB1T,M68AR256ML55ZB1T pdf中文资料,M68AR256ML55ZB1T引脚图,M68AR256ML55ZB1T电路-Datasheet-电子工程世界

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M68AR256ML55ZB1T: 产品描述256KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小118KB，共18页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M68AR256ML55ZB1T概述

256KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48

M68AR256ML55ZB1T规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	BGA
包装说明	6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
针数	48
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	55 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e0
长度	7 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.000003 A
最小待机电流	1 V
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	6 mm

M68AR256ML55ZB1T相似产品对比

	M68AR256ML55ZB1T	M68AR256ML70ZB1T	M68AR256ML55ZB6T
描述	256KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48	256KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48	256KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA
包装说明	6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48	6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48	6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
针数	48	48	48
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	55 ns	70 ns	55 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e0	e0	e0
长度	7 mm	7 mm	7 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16	16
功能数量	1	1	1
端子数量	48	48	48
字数	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	85 °C
组织	256KX16	256KX16	256KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.000003 A	0.000003 A	0.000003 A
最小待机电流	1 V	1 V	1 V
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V	1.95 V	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V	1.65 V	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	6 mm	6 mm	6 mm

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