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2SA2120-O

产品描述TRANSISTOR 12 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小173KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SA2120-O概述

TRANSISTOR 12 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power

2SA2120-O规格参数

参数名称属性值
包装说明2-16C1A, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)12 A
集电极-发射极最大电压200 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)80
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)200 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)25 MHz
Base Number Matches1

2SA2120-O相似产品对比

2SA2120-O 2SA2120-R
描述 TRANSISTOR 12 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power TRANSISTOR 12 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power
包装说明 2-16C1A, 3 PIN 2-16C1A, 3 PIN
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 12 A 12 A
集电极-发射极最大电压 200 V 200 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 80 55
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 200 W 200 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 25 MHz 25 MHz
Base Number Matches 1 1

 
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