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MIG10J855E

产品描述TRANSISTOR,IGBT POWER MODULE,3-PH BRIDGE,600V V(BR)CES,10A I(C)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小160KB,共3页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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MIG10J855E概述

TRANSISTOR,IGBT POWER MODULE,3-PH BRIDGE,600V V(BR)CES,10A I(C)

MIG10J855E规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压600 V
门极-发射极最大电压20 V
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大功率耗散 (Abs)40 W
VCEsat-Max2.8 V
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