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2SA1869-Y

产品描述TRANSISTOR 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, SC-67, 3 PIN, BIP General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小112KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SA1869-Y概述

TRANSISTOR 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, SC-67, 3 PIN, BIP General Purpose Power

2SA1869-Y规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
零件包装代码SC-67
针数3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值10 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层NOT SPECIFIED
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
VCEsat-Max0.6 V
Base Number Matches1

2SA1869-Y相似产品对比

2SA1869-Y 2SA1869-O
描述 TRANSISTOR 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, SC-67, 3 PIN, BIP General Purpose Power TRANSISTOR 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, SC-67, 3 PIN, BIP General Purpose Power
是否无铅 含铅 含铅
Reach Compliance Code unknow unknow
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 120 70
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP
功耗环境最大值 10 W 10 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz
VCEsat-Max 0.6 V 0.6 V
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