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2SA1736TE12R

产品描述TRANSISTOR 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小92KB,共3页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SA1736TE12R概述

TRANSISTOR 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

2SA1736TE12R规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PSSO-F3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
VCEsat-Max0.5 V
Base Number Matches1

2SA1736TE12R相似产品对比

2SA1736TE12R 2SA1736TE12L
描述 TRANSISTOR 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz
VCEsat-Max 0.5 V 0.5 V
Base Number Matches 1 1

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