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GBPC12005.

产品描述25 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小53KB,共3页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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GBPC12005.概述

25 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

25 A, 200 V, 硅, 桥式整流二极管

GBPC12005.规格参数

参数名称属性值
端子数量4
元件数量4
最大平均输入电流25 A
状态DISCONTINUED
包装形状SQUARE
包装尺寸凸缘安装
端子形式焊接 LUG
端子涂层锡 铅
端子位置UPPER
包装材料塑料/环氧树脂
结构桥, 4 ELEMENTS
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型桥式整流二极管
相数1
最大重复峰值反向电压200 V
最大非重复峰值正向电流300 A

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GBPC 12, 15, 25, 35 SERIES Bridege Rectifiers (Glass Passivated)
GBPC 12, 15, 25, 35 SERIES
Bridege Rectifiers (Glass Passivated)
Features
• Integrally molded heatsink provided very low thermal resistance for maximum heat dissipation.
• Surge ovrload rartings from 300 amperes to 400 amperes.
• Isolated voltage from case to lead over 2500 volts.
• UL certified, UL #E96005
Suffix “W”
Wire Lead Structure
Suffix “M”
Terminal Location Face to Face
+
~
GBPC
~
GBPC-W
~
+
~
Absolute Maximum Ratings *
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F(AV)
T
a
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
Maximum Repetitive Reverse Voltage
Maximum RMS Bridge Input Voltage
DC Reverse Voltage (Rated V
R
)
Average Recitified Forward Current
GBPC12
@ T
A
= 55°C
GBPC15
GBPC25
GBPC35
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
GBPC12, 25, 25
8.3ms Single Half-Sine-Wave
GBPC35
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
Value
005
50
35
50
01
100
70
100
02
200
140
200
04
400
280
400
12
15
25
35
300
400
-55 to +150
-55 to +150
06
600
420
600
08
800
560
800
10
1000
700
1000
Units
V
V
V
A
A
A
A
A
A
°C
°C
I
FSM
T
STG
T
J
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJL
Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Lead
Parameter
Value
83.3
1.5
Units
W
°C/W
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
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