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W29EE011P-15

产品描述128K X 8 CMOS FLASH MEMORY
产品类别存储    存储   
文件大小119KB,共20页
制造商Winbond(华邦电子)
官网地址http://www.winbond.com.tw
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W29EE011P-15概述

128K X 8 CMOS FLASH MEMORY

W29EE011P-15规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码QFJ
包装说明QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数32
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最长访问时间150 ns
其他特性HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION; 10-YEARS DATA RETENTION; 1K PROGRAM/ERASE CYCLE
命令用户界面NO
数据轮询YES
数据保留时间-最小值10
耐久性1000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e0
长度13.97 mm
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模1K
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC32,.5X.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.56 mm
部门规模128
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
Base Number Matches1
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