RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE 465E-03, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Motorola ( NXP ) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
Reach Compliance Code | unknown |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 65 V |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | S BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFM-F2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 83.3 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved