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MRF21030

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE 465E-03, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小147KB,共8页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRF21030概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE 465E-03, 3 PIN

MRF21030规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压65 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带S BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)83.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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