SST29VF512-70-4I-NHE,SST29VF512-70-4I-NHE pdf中文资料,SST29VF512-70-4I-NHE引脚图,SST29VF512-70-4I-NHE电路-Datasheet-电子工程世界

SST29VF512-70-4I-NHE: 产品描述Flash, 64KX8, 70ns, PQCC32, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32; 产品类别存储存储; 文件大小349KB，共25页; 制造商Silicon Laboratories Inc; 标准

下载文档详细参数全文预览

SST29VF512-70-4I-NHE概述

Flash, 64KX8, 70ns, PQCC32, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Silicon Laboratories Inc
零件包装代码	QFJ
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	70 ns
命令用户界面	NO
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-PQCC-J32
JESD-609代码	e3
长度	13.97 mm
内存密度	524288 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	512
端子数量	32
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC32,.5X.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3/3.3 V
编程电压	2.7 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.556 mm
部门规模	128
最大待机电流	0.000015 A
最大压摆率	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	MATTE TIN
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	40
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	11.43 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

EEWorld订阅号

EEWorld服务号

汽车开发圈

器件索引 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室电话:(010)82350740 邮编：100190