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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SML901R3AN
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SML901R3AN

产品描述8.5A, 900V, 1.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小60KB，共2页
制造商SEMELAB
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SML901R3AN概述

8.5A, 900V, 1.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3

SML901R3AN规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SEMELAB
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压900 V
最大漏极电流 (ID)8.5 A
最大漏源导通电阻1.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)34 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

SML901R3AN文档预览

LAB
TO3 Package Outline.
Dimensions in mm (Inches)
SEME
SML1001R1AN
SML901R1AN
SML1001R3AN
SML901R3AN
1000V
900V
1000V
900V
9.5A
9.5A
8.5A
8.5A
1.10
W
1.10
W
1.30
W
1.30
W
POWER MOS IV™
N–CHANNEL
ENHANCEMENT MODE
HIGH VOLTAGE
POWER MOSFETS
MAXIMUM RATINGS
(T
case
=25°C unless otherwise stated)
Parameter
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
, T
STJ
Drain – Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
1
Gate – Source Voltage
Total Power Dissipation @ T
case
= 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction Temperature
Range
901R1AN
900
9.5
38
±30
230
SML
1001R1AN 901R3AN
1000
900
8.5
34
1001R3AN
1000
Unit
V
A
A
V
W
–55 to 150
°C
STATIC ELECTRICAL RATINGS
(T
case
=25°C unless otherwise stated)
Characteristic / Test Conditions / Part Number
Drain – Source Breakdown Voltage
SML1001R1AN / SML1001R3AN
(V
GS
= 0V , I
D
= 250
m
A)
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate – Source Leakage Current
On State Drain Current
2
(V
DS
> I
D(ON)
x R
DS(ON)
Max , V
GS
= 10V)
Static Drain – Source On State Resistance
2
(V
GS
=10V , I
D
= 0.5 I
D
[Cont.])
SML901R1AN / SML901R3AN
(V
GS
= 0V , V
DS
= V
DSS
)
(V
GS
= 0V , V
DS
= 0.8V
DSS
, T
C
= 125°C)
(V
GS
= ±30V , V
DS
= 0V)
SML1001R1AN / SML901R1AN
SML1001R1AN / SML901R3AN
9.5
8.5
2
SML1001R1AN / SML901R1AN
SML1001R3AN / SML901R3AN
4
1.1
1.3
Min.
1000
900
250
1000
±100
Typ.
Max. Unit
V
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
I
D(ON)
m
A
nA
A
V
V
GS(TH)
Gate Threshold Voltage
R
DS(ON)
W
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.
2) Pulse Test: Pulse Width < 380
m
S , Duty Cycle < 2%
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Prelim. 12/00
SML1001R1AN
SML901R1AN
SML1001R3AN
SML901R3AN
1000V
900V
1000V
900V
9.5A
9.5A
8.5A
8.5A
1.10
W
1.10
W
1.30
W
1.30
W
Test Conditions.
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
f = 1MHz
V
GS
= 10V
I
D
= I
D
[Cont.]
V
DD
= 0.5 V
DSS
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[Cont.]
V
GS
= 15V
R
G
= 1.8
W
LAB
Min.
Typ.
2460
360
105
90
9.3
47
15
16
64
24
Max. Unit
2950
500
160
130
14
70
30
32
95
48
ns
nC
pF
SEME
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Characteristic
C
iss
C
oss
C
rss
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Total Gate Charge
3
Gate – Source Charge
Gate – Drain (“Miller”) Charge
Turn–on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
SOURCE – DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS
Characteristic / Test Conditions.
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
Continuous Source Current (Body Diode)
Pulsed Source Current
1
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
2
(V
GS
= 0V , I
S
= – I
D
[Cont.])
Reverse Recovery Time
(I
S
= – I
D
[Cont.] , dl
s
/ dt = 100A/
m
s
Reverse Recovery Charge
320
2.2
636
4.5
Part Number
SML1001R1AN / SML901R1AN
SML901R3AN / SML901R3AN
SML1001R1AN / SML901R1AN
SML1001R3AN / SML901R3AN
Min.
Typ.
Max. Unit
9.5
A
8.5
38
34
1.3
A
V
1200
9
ns
m
C
SAFE OPERATING AREA CHARACTERISTICS
SOA1
SOA2
I
LM
Characteristic / Test Conditions / Part Number
Safe Operating Area
V
DS
= 0.4 V
DSS
, I
DS
= P
D
/ 0.4 V
DSS
, t = 1 Sec
Safe Operating Area
Inductive Current Clamped
I
DS
= I
DS
[Cont.] , V
DS
= P
D
/ I
D
[Cont.] , t = 1 Sec
SML1001R1AN / SML901R1AN
SML1001R3AN / SML901R3AN
Min.
230
230
38
34
Typ.
Max. Unit
W
A
THERMAL CHARACTERISTICS
(T
case
=25°C unless otherwise stated)
R
q
JC
R
q
JA
T
L
Characteristic / Test Conditions.
Junction to Case
Junction to Ambient
Max. Lead Temperature for Soldering Conditions: 0.065” from Case for 10 sec.
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.
2) Pulse Test: Pulse Width < 380
m
S , Duty Cycle < 2%
3) See MIL–STD–750 Method 3471
Min.
Typ.
Max. Unit
0.53 °C/W
30
300
°C/W
°C
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Prelim. 12/00
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SML901R3AN SML1001R3AN SML1001R1AN SML901R1AN
描述 8.5A, 900V, 1.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 8.5A, 1000V, 1.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 9.5A, 1000V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 9.5A, 900V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SEMELAB SEMELAB SEMELAB SEMELAB
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compli
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 900 V 1000 V 1000 V 900 V
最大漏极电流 (ID) 8.5 A 8.5 A 9.5 A 9.5 A
最大漏源导通电阻 1.3 Ω 1.3 Ω 1.1 Ω 1.1 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 34 A 34 A 38 A 38 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON

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