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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SML50W40
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SML50W40

产品描述Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小26KB，共2页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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SML50W40概述

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267

SML50W40规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称TT Electronics plc
包装说明FLANGE MOUNT, S-MSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
雪崩能效等级（Eas）2500 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)40 A
最大漏源导通电阻0.12 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-267
JESD-30 代码S-MSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)160 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

SML50W40文档预览

SML50W40
TO–267 Package Outline.
Dimensions in mm (inches)
N–CHANNEL
ENHANCEMENT MODE
HIGH VOLTAGE
POWER MOSFETS
V
DSS
500V
40A
I
D(cont)
Ω
R
DS(on)
0.120Ω
• Faster Switching
• Lower Leakage
• TO–267 Hermetic Package
D
G
S
StarMOS is a new generation of high voltage
N–Channel enhancement mode power MOSFETs.
This new technology minimises the JFET effect,
increases packing density and reduces the
on-resistance. StarMOS also achieves faster
switching speeds through optimised gate layout.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
, T
STG
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
Drain – Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
1
Gate – Source Voltage
Gate – Source Voltage Transient
Total Power Dissipation @ T
case
= 25°C
Derate Linearly
Operating and Storage Junction Temperature Range
Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.
Avalanche Current
1
(Repetitive and Non-Repetitive)
Repetitive Avalanche Energy
1
Single Pulse Avalanche Energy
2
500
40
160
±30
±40
400
3.2
–55 to 150
300
40
50
2500
V
A
A
V
W
W/°C
°C
A
mJ
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.
2) Starting T
J
= 25°C, L = 3.13mH, R
G
= 25Ω, Peak I
L
= 40A
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
Website:
http://www.semelab.co.uk
E-mail:
sales@semelab.co.uk
6/99
SML50W40
STATIC ELECTRICAL RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(TH)
I
D(ON)
R
DS(ON)
Characteristic
Drain – Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
(V
GS
= 0V)
Gate – Source Leakage Current
Gate Threshold Voltage
On State Drain Current
2
Drain – Source On State Resistance
2
Test Conditions
V
GS
= 0V , I
D
= 250µA
V
DS
= V
DSS
V
DS
= 0.8V
DSS
, T
C
= 125°C
V
GS
= ±30V , V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5mA
V
DS
> I
D(ON)
x R
DS(ON)
Max
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V , I
D
= 0.5 I
D
[Cont.]
2
40
0.120
Min.
500
Typ.
Max. Unit
V
25
250
±100
4
µA
nA
V
A
Ω
DYNAMIC CHARACTERISTICS
C
iss
C
oss
C
rss
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
3
Gate – Source Charge
Gate – Drain (“Miller”) Charge
Turn–on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Test Conditions
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
f = 1MHz
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[Cont.] @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[Cont.] @ 25°C
R
G
= 0.6Ω
Min.
Typ.
7400
1000
380
312
50
127
14
16
54
5
Max. Unit
8900
1400
570
470
75
190
30
32
80
10
ns
nC
pF
SOURCE – DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
Characteristic
Continuous Source Current
Pulsed Source Current
1
Diode Forward Voltage
2
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Test Conditions
(Body Diode)
(Body Diode)
V
GS
= 0V , I
S
= – I
D
[Cont.]
I
S
= – I
D
[Cont.] , dl
s
/ dt = 100A/µs
I
S
= – I
D
[Cont.] , dl
s
/ dt = 100A/µs
620
14.7
Min.
Typ.
Max. Unit
40
A
160
1.3
V
ns
µC
THERMAL CHARACTERISTICS
R
θJC
R
θJA
Characteristic
Junction to Case
Junction to Ambient
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.
2) Pulse Test: Pulse Width < 380µS , Duty Cycle < 2%
3) See MIL–STD–750 Method 3471
CAUTION — Electrostatic Sensitive Devices. Anti-Static Procedures Must Be Followed.
Min.
Typ.
Max. Unit
0.31
°C/W
40
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
Website:
http://www.semelab.co.uk
E-mail:
sales@semelab.co.uk
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SML50W40相似产品对比

SML50W40 SML50W40R1
描述 Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267 Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 TT Electronics plc TT Electronics plc
Reach Compliance Code compliant compliant
雪崩能效等级（Eas） 2500 mJ 2500 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V 500 V
最大漏极电流 (ID) 40 A 40 A
最大漏源导通电阻 0.12 Ω 0.12 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-267 TO-267
JESD-30 代码 S-MSFM-T3 S-MSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 160 A 160 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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