Rambus DRAM, 2MX9, CMOS, PDSO36,
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | LG Semicon Co Ltd |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 访问模式 | BLOCK ORIENTED PROTOCOL |
| 其他特性 | SELF CONTAINED REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G36 |
| 内存密度 | 18874368 bit |
| 内存集成电路类型 | RAMBUS DRAM |
| 内存宽度 | 9 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 36 |
| 字数 | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 75 °C |
| 最低工作温度 | -5 °C |
| 组织 | 2MX9 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 1024 |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL EXTENDED |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
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