64K X 16 CMOS FLASH MEMORY
| W49F102 | W49F102Q45 | W49F102P40 | W49F102P45 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 64K X 16 CMOS FLASH MEMORY | 64K X 16 CMOS FLASH MEMORY | 64K X 16 CMOS FLASH MEMORY | 64K X 16 CMOS FLASH MEMORY |
| 厂商名称 | - | Winbond(华邦电子) | Winbond(华邦电子) | Winbond(华邦电子) |
| 零件包装代码 | - | TSOP | LCC | LCC |
| 包装说明 | - | TSOP1, | PLASTIC, LCC-44 | QCCJ, |
| 针数 | - | 40 | 44 | 44 |
| Reach Compliance Code | - | unknow | _compli | unknow |
| 最长访问时间 | - | 45 ns | 40 ns | 45 ns |
| JESD-30 代码 | - | R-PDSO-G40 | S-PQCC-J44 | S-PQCC-J44 |
| 长度 | - | 12.4 mm | 16.5862 mm | 16.5862 mm |
| 内存密度 | - | 1048576 bi | 1048576 bi | 1048576 bi |
| 内存集成电路类型 | - | FLASH | FLASH | FLASH |
| 内存宽度 | - | 16 | 16 | 16 |
| 功能数量 | - | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | - | 40 | 44 | 44 |
| 字数 | - | 65536 words | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | - | 64000 | 64000 | 64000 |
| 工作模式 | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | - | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | - | 64KX16 | 64KX16 | 64KX16 |
| 封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | - | TSOP1 | QCCJ | QCCJ |
| 封装形状 | - | RECTANGULAR | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | - | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | - | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 编程电压 | - | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | - | 1.2 mm | 4.7 mm | 4.7 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | - | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | - | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | - | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | - | YES | YES | YES |
| 技术 | - | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | - | GULL WING | J BEND | J BEND |
| 端子节距 | - | 0.5 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | - | DUAL | QUAD | QUAD |
| 宽度 | - | 10 mm | 16.5862 mm | 16.5862 mm |
测试/测量
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