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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SC5114F31
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2SC5114F31

产品描述Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-247, Plastic/Epoxy, 3 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小38KB，共1页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
下载文档 详细参数 全文预览

2SC5114F31概述

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-247, Plastic/Epoxy, 3 Pin

2SC5114F31规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压500 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值80 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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