EEPROM, 64KX8, Serial, CMOS, 8 X 5 MM, 1.04 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, LAP-8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Atmel (Microchip) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SON, SOLCC8,.3 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 2 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 40 |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-XDSO-N8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 8 mm |
| 内存密度 | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 64KX8 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | SON |
| 封装等效代码 | SOLCC8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | 2/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 串行总线类型 | SPI |
| 最大待机电流 | 0.000002 A |
| 最大压摆率 | 0.01 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 5 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
| AT25HP512CI-10CI-1.8 | AT25HP512CI-10CI-2.7 | |
|---|---|---|
| 描述 | EEPROM, 64KX8, Serial, CMOS, 8 X 5 MM, 1.04 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, LAP-8 | EEPROM, 64KX8, Serial, CMOS, 8 X 5 MM, 1.04 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, LAP-8 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC |
| 包装说明 | SON, SOLCC8,.3 | SON, SOLCC8,.3 |
| 针数 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 2 MHz | 5 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 40 | 40 |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-XDSO-N8 | R-XDSO-N8 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 8 mm | 8 mm |
| 内存密度 | 524288 bit | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 64KX8 | 64KX8 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | SON | SON |
| 封装等效代码 | SOLCC8,.3 | SOLCC8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | 240 |
| 电源 | 2/5 V | 3/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 串行总线类型 | SPI | SPI |
| 最大待机电流 | 0.000002 A | 0.000002 A |
| 最大压摆率 | 0.01 mA | 0.01 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 |
| 宽度 | 5 mm | 5 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms | 10 ms |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE | HARDWARE/SOFTWARE |
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