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HM62832UHLP-20: 产品描述32KX8 STANDARD SRAM, 20ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28; 产品类别存储存储; 文件大小114KB，共13页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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HM62832UHLP-20概述

32KX8 STANDARD SRAM, 20ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

HM62832UHLP-20规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	28
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	20 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T28
长度	36 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm

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HM62832UH Series

256 k High Speed SRAM (32-kword

8-bit)

Features

•

High speed: Fast access time 15/20 ns (max)

•

Low Power

Standby: 15

µW

(typ) (L-version)

Operation: 675/600 mW (typ)

•

Single 5 V supply

•

Completely static memory

No clock or timing strobe required

•

Equal access and cycle times

•

Common data input and output: Three state output

•

Directly TTL compatible: All inputs and outputs

Ordering Information

Type No.

HM62832UHP-15

HM62832UHP-20

HM62832UHLP-15

HM62832UHLP-20

HM62832UHJP-15

HM62832UHJP-20

HM62832UHLJP-15

HM62832UHLJP-20

Access Time

15 ns

20 ns

15 ns

20 ns

15 ns

20 n

15 ns

20 ns

300-mil 28-pin plastic SOJ (CP-28DN)

Package

300-mil 28-pin plastic DIP (DP-28NA)

HM62832UHLP-20相似产品对比

	HM62832UHLP-20	HM62832UHLJP-15TR	HM62832UHJP-15TR
描述	32KX8 STANDARD SRAM, 20ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28	32KX8 STANDARD SRAM, 15ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	32KX8 STANDARD SRAM, 15ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
零件包装代码	DIP	SOJ	SOJ
包装说明	DIP,	SOJ,	SOJ,
针数	28	28	28
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	20 ns	15 ns	15 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28
长度	36 mm	18.17 mm	18.17 mm
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8
功能数量	1	1	1
端子数量	28	28	28
字数	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32KX8	32KX8	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	SOJ	SOJ
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	3.76 mm	3.76 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	J BEND	J BEND
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	-	Renesas(瑞萨电子)

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