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HYM5V64414ASLTKG-80

产品描述EDO DRAM Module, 4MX64, 80ns, CMOS, DIMM-168
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文件大小406KB,共11页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HYM5V64414ASLTKG-80概述

EDO DRAM Module, 4MX64, 80ns, CMOS, DIMM-168

HYM5V64414ASLTKG-80规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度25.4 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.0064 A
最大压摆率1.44 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
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